A jó-minőségű SiC egykristályokat főként fizikai gőztranszporttal (PVT) és magas-hőmérsékletű kémiai gőzleválasztással (HTCVD) állítják elő. A PVT-módszer magas hőmérsékleten szublimálja a SiC forrásport, aminek következtében a benne lévő komponensek a magkristály felületén kondenzálódnak, és jó minőségű SiC egykristályokat növesztenek. A HTCVD módszer SiC kristályokat szintetizál magas hőmérsékleten kémiai gőzleválasztással.
